技术编号：6867237
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用对注入氧离子的硅基板进行热处理而获得SIMOX基板的SIMOX基板制造方法。本申请根据2004年7月20日申请的特愿2004-211127号主张优先权，而引用其内容。背景技术 作为在硅氧化物那样的绝缘体上有单晶硅层的SOI基板，主要已知SIMOX基板。SIMOX基板是，在单晶硅基板内部注入氧离子后，继续在氧化性气氛下实施高温热处理，使注入的氧离子和硅原子进行化学反应形成埋入氧化膜的SOI基板。在这些SOI层上形成的器件，有可能表现高耐放射线性...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。