技术编号：6867278
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器件，存储单元，晶体管，以及制造这些使用SiC半导电材料的装置的方法。 背景技术 在制造半导体器件中，在低漏电流和高驱动电流之间一般存在折中。呈现高带隙的半导电材料通常提供低的漏电流，相反，呈现低带隙的半导电材料通常提供相对高的驱动电流。元素硅呈现约1.1电子伏(eV)的带隙，其是提供可接受的驱动电流的相对低的带隙。然而，在特定应用例如存储器件中漏电流可能是一个问题。在存储器件中，频繁刷新可用来处理在这样的器件中与作为半导电材料的元素硅相关...
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