技术编号：6867324
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种半导体，更具体地涉及一种具有很小尺寸的半导体晶片管。背景技术 常规晶体管典型地对于源和漏极使用相同材料。对于特定应用定制所使用的材料。例如，对于其中需要从晶体管提供有效的功率需求的应用，希望具有高击穿电压的晶体管材料。这种材料包括已知具有高带隙能的那些材料。目前，不对称晶体管(asymmetric transistors)提供了改善晶体管器件性能的优点。此外，对于需要高击穿电压和低漏结漏电流的晶体管，希望在漏区中采用高带隙材料。晶体管的另...
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