技术编号：6867405
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如IGBT模块等的大功率半导体装置，并且特别涉及适用于必须降低功率损耗的半导体装置的构造。背景技术 我们知道作为大功率半导体装置的一个例子，已有的IGBT模块的构造例如如图9所示。将IGBT芯片65的收集极一侧和二极管芯片66的n层一侧分别焊接在由铜导体(DBCDirect Bond Copper，直接焊接铜)夹着氧化铝等的绝缘基片67构成的DBC基片的表面Cu图案63上，从芯片上经过例如200～500μmφ的Al焊丝64，使IGBT芯片65的...
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