技术编号:6867588
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用等离子体处理半导体基板等被处理基板的等离子体处理装置。背景技术 近几年在高速逻辑器件中,为了降低布线间的寄生电容,层间绝缘膜的低介电常数化(Low-k化)不断发展。正在研究在超LSI器件特别是65nm技术节点以下的Low-k膜中,采用空孔率大的多孔材料。通常,由于多孔Low-k膜的机械强度欠缺,因此,在形成Low-k膜之后埋入Cu而形成,然后利用CMP实施平坦化时,有可能发生膜剥离。因此,必须事先进行Low-k膜的固化处理(硬化),例如,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。