技术编号:6867597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及一种用于半导体装置的多晶-硅-锗(多晶-SiGe)栅极叠层及其形成方法。背景技术 用于CMOS(互补金属氧化物半导体)装置的晶体管驱动电流和转换速度随着反向电容的增加而增加。限制反向电容的因素之一是,在反向过程中,在传统的多晶硅栅电极中电荷载体出现损耗。用在高性能逻辑电路中的CMOS装置的另一种栅电极材料需要避免多晶硅(或多晶-Si)出现损耗。使用电荷载体浓度超过多晶-Si的载体浓度至少两个数量级的金属栅极,事实上消除了多晶-Si的损耗...
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