技术编号：6867793
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文所揭示的标的物大体而言涉及半导体处理，且具体而言，涉及一种在沉积金属之前通过处理硅以形成氧化物来制备电路小片、以便形成硅化物的方法。背景技术 集成电路以多个层的形式制作于半导体晶圆表面上，并随后单分成单独的半导体器件，或者“电路小片”。许多制作工艺要重复很多次，从而逐个层地加以构造，直至完成制作为止。金属层—随着器件复杂度的提高，其数量通常会增加—包含导电材料图案，这些导电材料图案通过交错的绝缘材料层在垂直方向上相互绝缘。在每一层内也通过绝缘或介电材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。