技术编号:6867895
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的来说涉及用于在半导体应用中形成薄膜的系统和方法。本发明尤其涉及在使用混合气化前体在衬底上制造多组分薄膜的系统和方法。背景技术 在微电子学复杂度增加和朝向微型化迈进的同时,每块集成电路的晶体管数也已经成指数地增长,并且有望满足更快、更小和更强大的电子系统的要求。然而,尽管传统的基于硅的晶体管几何图形达到了临界点,其中,二氧化硅栅极电介质仅仅只有几个原子层厚,但是由于电流泄漏以及功率消耗的增加,电子隧道效应(tunneling)将会变得更普遍。因此,...
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