技术编号:6868081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及以碳化硅为原料的低通态电阻、高电压的纵型MOSFET的结构以及制造方法。背景技术 单晶碳化硅(SiC)与单晶硅(Si)相比,具有带隙宽、绝缘破坏强度大、电子的饱和漂移速度大等优良的物理性能。因而,通过将SiC用作原材料,可以制作超过了Si的界限的高耐压且低电阻的电力用半导体元件。另外,SiC与Si同样具有通过热氧化可以形成绝缘层的特征。从这几点来看,我们认为可以实现以单晶SiC为原料的高耐压且低通态电阻的纵型MOSFET,并进行多次的研究开发。在...
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