技术编号:6868223
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种生长半导体器件结构的方法,具体地涉及一种生长应变层结构的方法。背景技术 例如,在新的CMOS半导体器件中已经提出了应变的硅层,以提高载流子的迁移率。可以通过在诸如SiGe之类的缓冲层上沉积外延层来生长该应变层。例如,US 2004/0115888描述了一种半导体器件的制造方法,其中,在半导体衬底上顺序地形成SiGe层和应变Si层。SiGe层和应变Si层都通过超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)来形成。在应变硅层的顶部上形成栅极氧化物层和栅极...
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