技术编号:6868334
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明系有关半导体装置之制造方法。更明确地说,本发明系有关形成特定尺寸的间隔件的方法。背景技术 现今,深次微米的互补式金氧半导体(CMOS)是极大型积体(ULSI)装置的主流技术。过去廿年内,微电子业界的主要焦点均集中于如何缩小CMOS晶体管的尺寸并增加集成电路(IC)的晶体管密度。ULSI电路可包含CMOS场效晶体管(FET),其半导体闸极系配置于汲极与源极区之间。汲极和源极区通常系掺杂有高浓度之P-型杂质(硼)或N-型杂质(磷)。汲极和源极区通常含有薄...
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