技术编号：6868407
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。0001本发明一般涉及掺杂半导体衬底的方法；并且，更具体地涉及一种通过改变衬底相对于注入源的倾斜角度来注入掺杂剂的方法。背景技术0002在集成电路制造中注入掺杂剂需要对射束入射角度进行精确控制。尽管存在很多不同类型的射束入射角度误差，三种较常见的类型是跨越整个晶片的锥角误差、射束偏转误差和平行度误差。锥角误差通常是由晶片扫描系统的几何形状引起的锥角效应的结果。锥角误差可跨越整个晶片变化。例如，射束角度误差在一个晶片边缘约为-x度，在晶片中心约为零度，在相对...
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