技术编号:6868438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体器件制造中使用的光致抗蚀剂图形的形成方法。特别地涉及一种光致抗蚀剂图形的形成方法,其特征在于,使用两层可溶于光致抗蚀剂用显影液的防反射膜。背景技术 在半导体器件的制造中,通过使用光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。微细加工是,通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜,在该薄膜上透过描绘有器件图形的掩模图形照射紫外线等活性光线,进行显影,将所得到的光致抗蚀剂图形作为保护膜对基板进行蚀刻处理,由此在基板表面形成对应于上述图形的微细凹凸的加...
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