技术编号:6868526
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器晶体管结构,更具体地说,涉及一种采用纳米晶体的 晶体管。背景技术随着技术的进步,非易失性存储器的设计不断改进。浮置栅极和MONOS (金属/ 多晶硅氧化物氮化物氧化物硅)都是非易失性存储器的类型。在常规的浮置栅极结构 中,电荷籍助于Fowler-Nordheim隧道效应或者籍助于源极一侧的注入而存储在浮置 栅极上。电隔离的浮置栅极上的电子电荷存储支配着单元的工作。所存储的电荷量调 节存储器单元的晶体管特性。因为到浮置栅极的唯一电连接...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。