技术编号:6868568
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件,更具体地,涉及具有PFET和双重刻蚀停止衬垫(liner)的器件及这种器件的制造方法,其中所述双重刻蚀停止衬垫向PFET提供增强的应力状态。背景技术 在制造半导体器件时,可使用氮化硅(Si3Ni4)衬垫在晶体管沟道中引发应力,从而调节载流子迁移率。所引发的应力取决于氮化硅衬垫本身的应力状态和相关的这部分硅沟道的相对位置。例如,拉伸氮化硅衬垫将在其自身下面产生相对的应力并在与其自身横向相邻的区域中产生相同应力。也就是说,拉伸氮化硅衬...
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