技术编号:6868605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。本发明尤其涉及绝缘体上半导体(SOI)技术,更具体地说,旨在一种形成包括双应力材料衬底上硅的结构和方法。背景技术 在硅衬底上电子微芯片器件例如电阻器、电容器、保险丝、二极管和晶体管的集成是集成电路(IC)晶片制造技术的基础。最普遍的IC技术,CMOS(互补金属氧化物半导体)围绕着在FET(场效应晶体管)设计和制造中已实现的改进。FET是电压放大器件。FET的最大优点是其低的电压和低的功率要求。FET的两种基...
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