技术编号:6868801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术随着以移动电话为代表的移动产品的普及,为了适应进一步的处理高速化和低消耗功率化,进行了 LSI微细化技术的开发。晶体管的栅绝缘膜 也随着LSI的微细化而进一步倾向于薄膜化。以往,M0S晶体管的栅绝缘膜采用氧化硅膜(Si02)。但是,当氧化 硅膜的膜厚为2nm以下时,其绝缘性降低并导致漏电流增加。当栅极漏电 流增大时,消耗功率也会大幅增加。因此,当将该栅绝缘膜应用于移动产 品时,移动产品的电池可用时间变短。另外,由于栅绝缘膜的薄膜化,有 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。