技术编号:6868814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造具有衬底和硅半导体本体的半导体器件的方法,所述硅半导体本体具有第一表面和第二表面,第二表面的朝向背离第一表面的朝向,半导体器件还包括具有源极区、漏极区和中间沟道区的场效应晶体管,在沟道区位置处的第一表面上形成第一栅极电介质,并且在所述第一表面上形成第一栅电极,在所述第一栅电极的两侧上形成源极区和漏极区,从半导体本体的第一表面通过第一栅电极并且在第一栅电极旁边执行凹陷的离子注入,所述注入导致与在远离第一栅电极的沟道区的截面中的第一栅电极...
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