技术编号:6868885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器,包括其栅电极隔着铁电层形成在半导体衬底上的场效应晶体管。现已开发出来的FeRAM存储单元结构,主要为2晶体管2电容器结构(2T2C结构)或1晶体管1电容器结构(1T1C结构)。因此,当实现FeRAM微细化时,就需要使电容器结构为3维等的高度加工技术。很难使存储器微细化的这一问题不仅在制造FeRAM时存在,制造DRAM也会存在。它便是将来实现存储器的高密度化或大容量化时的一大障碍。另一方面,作为FeRAM的其他电路方式,又开始研究...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。