技术编号:6869015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到非易失性存储器,更具体地涉及到通过对其中的相变 单元进行加热和冷却记录或擦除数据的非易失性存储器。背景技术目前已知的非易失性存储器有闪存、FeRAM、 MRAM和相变存储 器。例如美国专利6,172,902公开了一种结合在薄膜中的MRAM,美国 专利5,166,758公开了相变存储器的结构。最近,由于稳定性显著,相变非易失性存储器引起了关注。目前在 现有技术文献中讨论了两种相变存储器单元集成概念。第一种相变存储 器单元集成概念依赖于垂直器件,该...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。