技术编号：6869018
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成半导体装置。 背景技术在半导体晶片工艺中，使用公知的图案化和蚀刻工艺在晶片中定义半导体装置的特征。在这些工艺中，光致抗蚀剂(PR)材料沉积在 晶片上且随后暴露于被分划板(reticle)过滤的光。分划板通常为被 图案化形成有示例性特征几何形状的玻璃板，该示例特征几何形状阻 挡光传播穿过分划板。光在穿过分划板之后接触光敏抗蚀剂材料的表面。光改变该光敏 抗蚀剂材料的化学成分，使得显影剂可以除去部分该光敏抗蚀剂材 料。对于正光敏抗蚀剂材料的情形，啄...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。