技术编号：6869324
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有二极管钳位的漏极扩展MOSFET本发明一般地涉及半导体器件，更具体地说，涉及扩展漏极 的MOS晶体管器件和用于制作该器件的加工方法。技术背景对于高功率开关应用，功率半导体产品一般通过利用N型 或P型沟道的漏极扩展金属-氧化物-半导体(DEMOS)晶体管器件， 如横向扩散MOS (LDMOS)器件或简化表面场(RESURF)晶体管加 工而成。DEMOS器件有利地将短沟道操作与高电流处理能力、相对低 的漏-源导通电阻(Rdson)和经受高阻塞电压而不出现电...
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