技术编号：6869443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件的制造方法，特别是有关于预估一种具有高介电常数介电层的半导体元件，因热载流子效应(hot carrier effect)所导致元件退化及其寿命的方法。背景技术 随着金属-绝缘-半导体场效晶体管(MISFET)元件的结构的尺寸降低，栅极介电层的厚度亦随之下降。此趋势是因整体元件微缩趋势的要求所致。例如，随着栅极宽度缩减，元件其他部分的尺度亦随之下降，以维持适当的尺寸维度以及元件的运作。另一个致使元件维度微缩趋势的因素是将栅极氧化层...
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