技术编号:6869530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过自旋极化电子来进行磁化反转的自旋注入磁随机存取存储器。背景技术 除了磁头和例如磁传感器的检测元件外,已经研究了使用磁膜的磁电阻元件在固态磁存储器-磁随机存取存储器(MRAM)中用作存储元件。磁电阻元件具有夹层结构,其包括例如两层磁金属层和排列在其间的电介层。在具有夹层结构的磁电阻元件中,因为两层磁金属层的磁化状态根据数据而不同,所以使用隧道磁电阻(TMR)效应可以读出数据。最近,对于表示磁电阻波动速率的MR比(磁电阻比),获得室温下MR比大于...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。