技术编号:6869641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及间隙填充沉积,更具体地涉及利用具有侧壁磁体的感应等离子体系统进行的间隙填充沉积。背景技术 在现代半导体器件的制造中,一个主要步骤是在半导体衬底上形成膜,如二氧化硅膜。在半导体器件的制造中,二氧化硅被广泛用作绝缘层。如所公知的,二氧化硅膜可通过热化学气相沉积(“CVD”)处理或等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)处理来沉积。在传统的热CVD处理中,反应气体被供应到衬底表面,在底表面发生热诱导的化学反应以产生期望的膜。在传统的等离子体沉积处理中...
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