技术编号：6870100
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种半导体组件制作方法；特别是有关一种具有高可靠性介电层的半导体内存组件的制作方法。背景技术 传统的堆叠构造的非挥发性半导体内存组件中，是使用一二氧化硅层作为隔离一浮动逻辑闸极(floating gate)与一控制闸极(control gate)的一绝缘层，其称做第二闸极介电层。半导体组件是朝向迷你化的趋势前进，在此情况下，需要厚度愈来愈薄的第二闸极介电层。由于具有有二氧化硅/氮化硅/二氧化硅堆叠结构的ONO介电层在相当薄的厚度下，仍具有有良好的...
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