技术编号:6870107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种窄通道金氧半场效应晶体管组件的闸极介电层的制作方法;特别是有关一种。背景技术 集成电路的趋势是朝向更高操作性能、更快速度及低价位发展。相应地,组件尺寸的大小也随着集成电路技术的提升而逐渐缩小化。此一趋势的发展使得使用超薄介电层于半导体组件(如金氧半场效应晶体管)制造上成为必要。金氧半场效应晶体管包括一高掺杂漏极及源极位于一硅底材上,及一位于此源极与漏极之间并以一层薄闸极介电层与硅底材隔开的导电性闸极电极。当一适当电压施予在此闸极电极时,一导电...
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