技术编号：6870229
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置，尤其是涉及一种包括单元接触垫片的半导体存储装置。背景技术 随着半导体存储装置的存储容量增加的发展，实际使用的是1GB的DRAM(为了简短，下文中动态随机存取存储器称为DRAM)。用于大容量半导体存储装置的元件尺寸进行小型化，具体地，DRAM的字线(行线)之间的间隔随着存储单元的小型化而减小。结果，要内埋或嵌入行线内的中间层膜的形成变得困难。由于晶体管容量已经提高，需要低温热处理，并且温度的进一步降低是形成中间层膜必不可少的。另...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。