技术编号:6870251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种激光辐射方法和激光辐射装置,更具体地涉及一种通过在硅膜上辐射激光束来形成多晶硅(poly-Si)薄膜的激光退火处理中使用的激光辐射方法,以及使用这种激光辐射方法的激光辐射装置。背景技术 近些年来,作为在玻璃衬底上形成集成电路的薄膜器件,已经有力地发展了poly-Si TFT(薄膜晶体管)。一般以受激准分子激光结晶技术形成poly-Si膜。在该技术中,先形成无定形硅(a-Si)膜,并将受激准分子激光束辐射到a-Si膜上以熔化并再结晶a-Si膜,...
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