技术编号:6870310
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路及其制造,涉及以金属栅和Hf基高K介质材料作为栅的CMOS晶体管及其集成电路的制造方法。背景技术 集成电路尤其超大规模集成电路中的主要器件是金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,简称MOS晶体管)。自MOS晶体管被发明以来,其几何尺寸一直在不断缩小,目前其特征尺寸已进入亚50纳米范围。在此尺度下,各种实际的和基本的限制和技术挑战开始出现,...
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