技术编号：6870609
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在蓝宝石异质衬底材料上采用金属有机源化学气相沉积外延生长AlxGa1-xN(0≤x≤1)单晶薄膜的方法。背景技术 第三代半导体材料III族氮化物包括InN，GaN，AlN及它们的合金InGaN，AlGaN和AlInGaN材料有着优良独特的光电特性，从而受到了广泛的重视。III族氮化物材料是直接带隙宽能带半导体材料，它们的直接带隙从0.79eV到6.2eV连续可调，对应电磁波的红外光到深紫外波段，主要应用是蓝、绿光到深紫外发光器件，探测器件和高...
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