技术编号：6870616
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，属于纳米材料领域，也属于电子材料领域。背景技术 现有的pn结二极管通常为平面pn结二极管。据悉，清华大学材料系的彭奎庆、朱静研究组经过研究已通过CVD法在p型硅片的上部分生长一层n型硅形成p-n结结构，制作成了p-n结纳米线阵列，且对测试出的该p-n结纳米线的I-V曲线进行分析后，发现该p-n结纳米线具有p-n结所特有的整流效应。该p-n结纳米线的I-V曲线是采用AFM测试的。纳米线未固化，硅...
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