技术编号:6870702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高电子迁移率晶体管,属于半导体器件领域,特别涉及氮化镓(GaN)基半导体高电子迁移率晶体管。背景技术 氮化镓基半导体高电子迁移率晶体管器件因其高电子迁移率、高电子饱和速度以及高击穿电压,使其很适合高频及高输出功率应用,是射频和微波应用最具潜力的半导体器件之一。但现阶段,各种氮化镓基高电子迁移率晶体管因其材料物理特性、工艺等,仍有各种问题妨碍了它的实用化及大规模应用。其中一个关键的问题就是其栅极与漏极之间的实际击穿电压比理论预期的要低得多,这就限制了氮化...
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