技术编号：6870793
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提高金属氧化物半导体(MOS)器件的场区抗总剂量辐射的加固方法，更确切地说，是采用离子注入的方法将掺杂离子引入到器件的场区氧化层中，以提高基于器件和电路的抗总剂量辐射性能。属于微电子学与固体电子学、硅集成电子器件材料的制造等研究领域。背景技术 在互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)制造技术中，一般通过局域氧化硅(LOCOS)或浅沟道隔离(STI)技术获得氧化层以实现器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。