技术编号：6870802
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造，具体涉及一种高性能电容器及其制备方法。背景技术电容器件被引入到射频集成电路和混合信号集成电路中以用于电路中的解耦、信号过滤和振荡发生等领域。过去这些电容器件都是采用多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)结构或金属-氧化层-硅衬底(MOS)结构[1，2]，然而多晶硅与MOS中的衬底都局限于耗尽效应，会产生寄生电容，从而导致不必要的电容值变化和偏置电压的扰动。同时非金属电极都会产生大的寄生电阻，在高频工作环境下严重影响电容的作用。对于射...
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