技术编号：6870948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，具体地说是一种通过在较大尺寸的柱状加热电极上制备具有绝缘性质的量子点，从而减小加热电极的实际有效面积，减小加热电极与相变材料的接触面积，提高加热电流密度。从而就避免了直接制备纳米加热电极(100nm以下)的困难，降低制造成本，更重要的是降低了相变存储器的功耗。属于微电子学中纳米材料的制备工艺与电学表征领域。背景技术 在目前的新型存储技术中，基于硫系半导体材料的相变存储器(chalcogenide based RAM，C-RAM)具有成本低，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。