技术编号:6870965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光光源,具体是指基于氮化镓发光材料、由光子晶体微腔和波导结构共同构成的氮化镓基圆盘式单色光源列阵。背景技术 GaN半导体材料具有在高频、高温条件下发射蓝光的独特性能,是继Si和GaAs之后的新一代半导体材料。由GaN、InN和AlN所组成的合金InGaN、AlGaN等GaN基半导体材料,通过调整组分可以获得从1.9eV到6.2eV连续可调的带隙,覆盖从紫外光到可见光很宽范围的波段。这些GaN基半导体材料的内、外量子效率高,具备高发光效率、高热导...
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