技术编号:6870987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领城本发明涉及半导体制程中的化学机械抛光工艺,具体的说,涉及一种化 学机械抛光的抛光垫以及一种使晶圓表面高平整度的化学机械抛光方法。背景技术化学机械抛光(CMP)工艺由IBM于1984年引入集成电路制造工业,并 首先用在后道工艺的金属间绝缘介质(IMD)的平坦化,然后通过设备和工艺的 改进用于镇(W)的平坦化,随后用于浅沟槽隔离(STI)和铜(Cu)的平坦化。化学 机械抛光(CMP)为近年来IC制程中成长最快、最受重视的一项技术。CMP抛光工艺就是在无...
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