技术编号：6870989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领城，特别涉及一种可去除刻蚀后残留聚会物的 半导体器件制造方法。技术背景在半导体器件制造过程中，常需要在晶片上定义出极细微尺寸的图案， 这些图案的定义主要是通过刻蚀技术完成。所谓刻蚀技术就是将晶片表面材 料均匀去除或图案选择性部分去除的技术，可以分为湿法腐蚀和千法刻蚀两 种。其中，湿法腐蚀是用液体化学试剂以化学方式去除晶片表面材料，因其 具有各向同性， 一般只用于尺寸较大的情况。干法刻蚀则是将晶片表面曝露于气态中产生的等离子体中，通过等...
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