技术编号:6870992
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造方法,尤其涉及将生长在硅衬底上的半导体器件 结构层从硅衬底上剥离的方法。背景技术ni—v族化合物等半导体材料外延时所釆用的衬底材料及相关工艺是一个值得关注的领域。现有的成熟的半导体器件,比如GaN基发光半导体器件,大 多是以蓝宝石或SiC异质衬底为基础的。但从晶格匹配和电导、热导特性上看, 蓝宝石并不是理想的异质外延衬底,而SiC衬底与GaN之间虽然晶格失配小于 蓝宝石衬底,但其加工困难以及昂贵的价格也限制了该衬底的进一步应用开 发...
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