技术编号：6871132
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种。背景技术随着半导体特征尺寸向65纳米乃至更精细的结构发展，对缝隙(Seam)的 填充，特别是对具有高深宽比的栅极间缝隙的填充提出了更高的要求，个别 器件中栅极间缝隙的深宽比达到了6 l甚至更高，这对填充工艺而言是个巨大 的才4战。高密度等离子体化学气相沉积(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition, HDPCVD )由于可在300 ~ 400°C的较低沉积温度下，制备出能...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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