技术编号：6871140
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及芯片制造，尤其涉及一种进行RTA (Rapid Thermal Annealing,快速热退火)控温测量的方法。本发明还涉及进行 RTA控温测量专用的测控晶片。背景技术业界现行通用的监测RTA设备稳定性的方法是，用经过离子植入的晶 片(简称"测控晶片")，在RTA设备上作快速热处理，对掺杂的离子进 行激活，然后测量快速热处理后晶片的薄层电阻值。通过测得电阻值来反 映RTA控温的准确性和稳定性。测量阻值越高，则说明RTA温度越低，反之亦然。这种监测...
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