技术编号:6871143
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,尤其涉及一种改善氧化膜化学 机械抛光(CMP)均一性的方法。背景技术膜厚的面内均一性和局部的平坦化程度是化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization, CMP)工艺控制和评估的重要指标。除了前膜 膜厚的均一性及表面状况(topography)的影响,CMP制程相关的耗材 (consumables),如研磨垫(pad),研磨液(slurry)都会影响残膜的面内均 一性和局部的平坦化程度。研磨垫在C...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。