技术编号：6871153
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种。技术背景半导体技术向小线宽技术节点迈进的同时，其后段的互连技术也从铝金 属互连发展铜互连技术，以解决小线宽互连技术所需要的小的互连电阻电容 延迟的问题。由于铜具有易扩散、难刻蚀等特点，传统的铝互连线制造工艺并不适合用来制造铜互连线，业界引入镶嵌工艺(Dual Damascene ),即先在 带有器件的衬底上形成中间介质层并刻蚀出沟槽和通孔，然后淀积铜进入刻 蚀好的图形中，并应用平坦化方法除去多余的铜。现有铜互连镶嵌工艺中...
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