带有电吸收光栅结构的q-调制半导体激光器的制作方法技术资料下载

技术编号:6871893

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本发明涉及半导体激光器和调制器,尤其涉及一种与利用电流注入或电吸收效应来改变激光器品质因子的Q-调制器单片集成的四分之一波长相移分布反馈激光器或者分布式布拉格反射激光器。背景技术 高速半导体激光器和调制器是当今光导纤维通信系统的关键元件。互联网传输量的迅速增加要求这些光学元件能处理更加大的比特率。通过改变激光器的偏置电流来直接进行光信号强度调制是最简单的方法,它不需要一个外部调制器。但是,直接调制的激光器有根本的速度限制,并且还显示瞬变振荡,其频率等于它的...
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