技术编号:6871971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种只读性闪存存储单元结构形成方法与操作方法,且特别涉及一种沟槽式分离栅(Trenched Split Gate)只读性闪存存储单元结构形成方法以及操作方法。近年来只读性存储单元受便携式电子产品需求所影响,有明显增加需求的现象,闪存由于技术日趋成熟,成本下降,不仅刺激购买意愿,而且有新的市场应用。如数字照相机的底片、个人随身电子记事簿的内存、个人MP3随身听、电子答录装置、可程序化IC等等均是闪存应用的市场。闪存承接以往可电性编码只读存储器(EP...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。