技术编号：6872241
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种内存的结构，特别是有关于一种闪存(FlashMemory)的结构。近来由于便携式电子产品需求增多，闪存的需求明显增加。由于其技术日趋成熟，成本下降，不仅刺激了购买意向，而且有新的市场应用。近来发展的闪存结构的可电除且可编程只读存储器已具有较快的存取速度。数字照相机的底片、个人随身电子记事簿的内存、个人MP3随身听、电子答录装置、可程序IC等等均是闪存应用的市场。请参照附图说明图1，其给出了一种闪存的结构剖面。此结构包括一层穿隧氧化层(Tu...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。