技术编号:6873029
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,且更具体而言,涉及一种以高产率制造氮化物半导体器件的方法。背景技术 已经提出把生长在第一衬底上的外延半导体层与该第一衬底分离并将其移动到第二衬底上的方法作为适合制造半导体器件的方法(见例如日本专利特许公开第No.2001-053056号(此后称为专利文件1))。在专利文件1中公开的方法将在下面参考图5A到5D描述。首先,参考图5A,第一外延GaN层52和掩模54依次形成在用作第一衬底的蓝宝石衬底51上。这里,不太可能外延生长的材料例如二氧化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。