技术编号:6873172
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,例如可抹除程式唯读记忆体(EPROM)、可电除程式唯读记忆体(EEPROM)、快闪记忆体等。为了达到缩小尺寸的目的,另一种称为浅沟槽隔离法(STI)的隔离技术,已被应用在非挥发性记忆元件的制作,以取代传统的区域氧化法。此方法是利用浅沟槽结构来隔离主动区,可以有效的改善元件积集度。然而,随着元件尺寸不断的缩小,浮置闸极的表面积也会跟着缩小。如此一来,会降低浮置闸极与控制闸极之间的有效电容,最终导致电容耦合率(capacitive coup...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。