技术编号:6873385
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及一种通过沟槽内之多层阶梯结构增加晶体管之载流子通道长度的。背景技术 图1例示一种公知之金属氧化物半导体场效应晶体管10(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)。该晶体管10是相当重要的一种基本电子元件,其主要是由半导体基板12、栅氧化层14、金属导电层16与两个设置于该半导体基板12内的掺杂区18(作为晶体管之漏极与源极)构成。另,该晶体管10另包含设置于该...
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